多項(xiàng)選擇題?集成電路制造技術(shù)中，薄膜制備技術(shù)主要包括兩大類（）。

A.薄膜生長(zhǎng)技術(shù)
B.薄膜淀積技術(shù)
C.薄膜外延技術(shù)
D.薄膜堆疊技術(shù)


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1.單項(xiàng)選擇題與真空蒸發(fā)相比，濺射薄膜的臺(tái)階覆蓋性好，關(guān)鍵在于（）。

A.濺射工藝重復(fù)性好
B.濺射角度大
C.濺射工藝復(fù)雜
D.濺射原子遷移能力強(qiáng)

2.單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)的局限性的是（）。

A.生長(zhǎng)機(jī)理簡(jiǎn)單
B.工藝重復(fù)性
C.臺(tái)階覆蓋能力差
D.薄膜與襯底附著力小

3.單項(xiàng)選擇題以下不屬于電子束加熱的優(yōu)點(diǎn)的是（）。

A.蒸發(fā)溫度高
B.工藝設(shè)備簡(jiǎn)單
C.熱效率高
D.高純度淀積

4.單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)過(guò)程的是（）。

A.氣相輸運(yùn)
B.薄膜淀積
C.薄膜定向
D.加熱蒸發(fā)

5.單項(xiàng)選擇題以下磷（P）源屬于氣態(tài)源的是（）。

A.POCl3
B.P2O5
C.PH3
D.PCl3