A.平面型探測(cè)器,吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
B.信號(hào)脈沖上升時(shí)間與入射帶電粒子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的位置有關(guān)
C.同軸型探測(cè)器,吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
D.輸出電壓脈沖信號(hào)是前沿不變的
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A.平面型體積較大
B.同軸型體積較小
C.兩者都不需要考慮空間電荷問(wèn)題
D.對(duì)不同的結(jié)構(gòu)形式,靈敏體積內(nèi)的電場(chǎng)分布不同
A.它需要在低溫下工作
B.它需要在低溫下保存
C.工作時(shí)一般不能達(dá)到全耗盡狀態(tài)
D.不屬于PN結(jié)型探測(cè)器
A.高純鍺探測(cè)器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個(gè)原子/cm3
C.因?yàn)榧兌雀?,所以可以有很大的結(jié)區(qū),即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度不是一致的
A.鋰漂移探測(cè)器不可以用來(lái)測(cè)量入射粒子的能量
B.Ge(Li)探測(cè)器須保存在低溫下
C.Si(Li)探測(cè)器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測(cè)器能量分辨率高于NaI探測(cè)器
A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層,但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在,平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)
最新試題
常見(jiàn)的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是()。
測(cè)量活度有相對(duì)法與絕對(duì)法,下列描述錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是()。
關(guān)于符合的描述,下列說(shuō)法正確的是()。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。
下列對(duì)γ能譜的描述,錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。
同位素中子源不包括哪一種?()