單項(xiàng)選擇題對(duì)于高純鍺探測(cè)器的描述，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A.高純鍺探測(cè)器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個(gè)原子/cm3
C.因?yàn)榧兌雀?，所以可以有很大的結(jié)區(qū)，即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度不是一致的


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1.單項(xiàng)選擇題下列對(duì)鋰漂移探測(cè)器的工作條件和原理描述不正確的是（）。

A.鋰漂移探測(cè)器不可以用來(lái)測(cè)量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探測(cè)器須保存在低溫下
C.Si（Li）探測(cè)器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測(cè)器能量分辨率高于NaI探測(cè)器

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰漂移探測(cè)器的工作原理，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層，但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在，平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰的漂移特性及P-I-N結(jié)形成，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體

4.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器通常采用哪種前置放大器？（）

A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無(wú)關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無(wú)關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加