A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層，但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在，平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)
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A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加
A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率
A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長的載流子壽命
C.低的電阻率，長的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命
最新試題
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。
同位素中子源不包括哪一種？（）
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是（）。
測(cè)量活度有相對(duì)法與絕對(duì)法，下列描述錯(cuò)誤的是（）。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是（）。
關(guān)于中子的彈性、非彈性散射，下列說法錯(cuò)誤的是（）。
幾何因素對(duì)探測(cè)器測(cè)量活度的影響描述正確的是（）。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是（）。
測(cè)量β射線的活度，下列說法錯(cuò)誤的是（）。
小立體角法是測(cè)量α源活度的手段之一，關(guān)于此方法的描述錯(cuò)誤的是（）。