A.VTT島盡可能放置在最后一個DDR2存儲器附近
B.Vref走線寬度>25mil,原則上每個Vref管腳都要一個去耦電容
C.每對DQS線(即DQS+與DQS-)之間線長的誤差范圍為10mil
D.BA、ADR、ODT、CKE、CS、CAS、RAS、WE與CLK之間走線長度誤差控制在50mil以內
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A.Add、BA
B.CK、CKE
C.RAS、CAS
D.CS、WE
A.DDR2的IO供電電源是1.8V
B.每個IO電源管腳配備退耦電容
C.DDR2的VTT電源電壓是1.8V
D.VTT電源的端接電阻端可以不需要配備退耦電容
A.Dk
B.Df
C.Dp
D.Dr
A.DDR2采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標準
B.DDR2采用的是FBGA封裝
C.DDR2內存可進行4bit預讀取
D.相對DDR,DDR2的功耗和發(fā)熱量更低
A.如果CPU掛兩片DDR2顆粒時拓撲建議采用對稱的T型結構,分支端靠近信號的接收端
B.串聯電阻靠近驅動端放置(5mm以內),并聯電阻靠近接收端放置(5mm以內)
C.布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及長度上的匹配
D.地址、控制、時鐘線(遠端分支結構)的等長范圍≤200mil
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