A.數(shù)學(xué)模型
B.恒壓降模型
C.折線模型
D.理想二極管模型
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A.數(shù)學(xué)模型
B.理想二極管模型
C.折線模型
D.恒壓降模型
A.直流量
B.交流量
C.瞬時量
D.正弦量有效值的相量
?固定偏置共射放大電路輸出特性曲線和直流、交流負(fù)載線如圖所示，由此可確定集電極電阻Rc為（）
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
A.正弦波
B.削底波形
C.削頂波形
D.雙向失真波形
?基本共射放大電路的輸出特性曲線和直流、交流負(fù)載線如圖所示，由此可得出負(fù)載電阻的大小是（）。
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
最新試題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
?10進(jìn)制計數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有（）。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動。
以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級？?（）
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。