在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。
A.增大，不變，減小
B.不變，增大，不變
C.不變，不變，減小
D.增大，不變，增大
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低
A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低
最新試題
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
用作電壓放大器時，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有（）。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)？（）
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?CD放大器的性能特征有（）。?