已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
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A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
A.1
B.2
C.3
D.4
A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉
最新試題
?若某放大器的輸入信號為電壓信號，輸出信號為電流信號，則以下描述正確的有（）。?
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?某次電路實驗中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實驗。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實驗過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
?CD放大器的性能特征有（）。?
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
用作電壓放大器時，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有（）。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時鐘信號頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時鐘信號頻率為1Hz，若采用計數(shù)器對100MHz的外部時鐘分頻得到1Hz的秒信號，請問該計數(shù)器至少需要多少位？（）