單項(xiàng)選擇題關(guān)于半導(dǎo)體作為探測(cè)器介質(zhì)的物理性能，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率


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1.單項(xiàng)選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導(dǎo)體探測(cè)器的關(guān)鍵？（）

A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長(zhǎng)的載流子壽命
C.低的電阻率，長(zhǎng)的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命

3.單項(xiàng)選擇題與氣體探測(cè)器相比，下列哪一項(xiàng)不是半導(dǎo)體探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)？（）

A.能量分辨率好
B.對(duì)γ射線的探測(cè)效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷

4.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)不是閃爍探測(cè)器必備的構(gòu)成部分？（）

A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器

5.單項(xiàng)選擇題閃爍探測(cè)器的特點(diǎn)不包括下面哪項(xiàng)？（）

A.探測(cè)效率高
B.時(shí)間特性好
C.用途廣泛，閃爍體選擇多
D.適合于測(cè)量帶電粒子，不適合測(cè)量不帶電粒子