問答題試說明熱氧化反應(yīng)為什么發(fā)生在Si—SiO2界面上,以及這種反應(yīng)機(jī)制有何好處?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟,并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
題型:問答題
試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B,P,As的擴(kuò)散特性。
題型:問答題
結(jié)電容是常量。
題型:判斷題
自由電子是載流子,空穴不是。
題型:判斷題
自由電子帶負(fù)電,空穴帶正電。
題型:判斷題
試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:問答題
普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。
題型:判斷題
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式,給出本征硅,低濃度摻雜,N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型:問答題
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
OED/ORD
題型:名詞解釋