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問答題
【簡答題】掩模在IC制造過程中有什么作用？
答案：
任何半導(dǎo)體器件及IC都是一系列相聯(lián)系的基本單元的組合，如導(dǎo)體、半導(dǎo)體及在基片不同層上形成的不同尺寸的隔離材料等。要制作出...
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【簡答題】解釋：同質(zhì)外延、異質(zhì)外延。
答案：
外延生長時(shí)，當(dāng)襯底與外延層為同種材料時(shí)稱為同質(zhì)外延，同質(zhì)外延的目的是形成具有不同摻雜種類及濃度的晶體層，因而它可以具有不...
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【簡答題】試述晶體外延的意義，列出三種外延方法。
答案：
晶體外延的意義是：用同質(zhì)材料形成具有不同摻雜種類及濃度，因而具有不同性質(zhì)的晶體層。
晶體外延的方法主要有：氣相...
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問答題
【簡答題】什么叫硅的熱氧化？有哪幾種熱氧化技術(shù)？
答案：
硅的熱氧化法是指硅與氧或水汽，在高溫下經(jīng)化學(xué)反應(yīng)生成SiO
2
。根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為干氧氧...
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問答題
【簡答題】集成電路主要有哪些基本制造工藝？
答案：
集成電路基本制造工藝包括：外延生長，掩模制造，光刻，刻蝕，摻雜，絕緣層形成，金屬層形成等。
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【簡答題】試畫出MOS器件跨導(dǎo)與源漏電壓的函數(shù)曲線。
答案：
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【簡答題】MOS管的跨導(dǎo)系數(shù)與哪些參數(shù)有關(guān)？
答案：
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【簡答題】什么是MOS管的閾值電壓？
答案：
引起溝道區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)表面反型的最小柵電壓，稱為閾值電壓V
T
。
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【簡答題】MOS器件結(jié)構(gòu)的對稱性使其源漏區(qū)可以互換，雙極型器件是否也具有同樣的特點(diǎn)？若沒有，請說明原因。
答案：
雙極型器件的集電極與發(fā)射極不具有對稱性，不能互換。雖然雙極型器件原理圖顯示兩個(gè)PN結(jié)是對稱的，但實(shí)際制造時(shí)發(fā)射區(qū)的摻雜濃...
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問答題
【簡答題】PN結(jié)的空間電荷區(qū)是如何形成的？
答案：
在PN結(jié)中，由于N區(qū)中有大量的自由電子，由P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)的空穴將逐漸與N區(qū)的自由電子復(fù)合。同樣，由N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的自由電...
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【簡答題】試比較p-n結(jié)和肖特基結(jié)的主要異同點(diǎn)。
答案：
共同點(diǎn)：由載流子進(jìn)行電流傳導(dǎo)。
不同點(diǎn)：p-n結(jié)由少數(shù)載流子來進(jìn)行電流傳導(dǎo)；肖特基結(jié)的主要傳導(dǎo)機(jī)制是半導(dǎo)體中多...
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