問答題試說明CMOS工藝在硅片上形成氧化物的主要方法，以及他們間的本質(zhì)區(qū)別。

參考答案： 硅片上的氧化物有許多種方法產(chǎn)生：熱生長和淀積，包括：熱氧化法、CVD、熱分解淀積法、陽極氧化法、反應(yīng)濺射法等。