問答題試說明MOS工藝中存在的自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及他們的主要優(yōu)點(diǎn)。
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在P 型半導(dǎo)體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
題型:判斷題
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
什么是擴(kuò)散的相互作用?試舉一例說明其對半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型:問答題
明兩步擴(kuò)散法的基本思想,及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型:問答題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
題型:單項(xiàng)選擇題
試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:問答題
說明氧化氣氛對擴(kuò)散有何影響及原因?
題型:問答題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型:判斷題
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小,因此其最高工作頻率低。
題型:判斷題
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型:判斷題