A.+5，自由電子
B.+5，空穴
C.+3，自由電子
D.+3，空穴
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你可能感興趣的試題
A.理想二極管
B.恒壓降模型
C.折線模型
D.數(shù)學(xué)模型
?限幅電路如圖所示，穩(wěn)壓對(duì)管參數(shù)為VD（on）=0.7V，VZ =7.3V，rZ=0?，則其設(shè)定的輸出信號(hào)上下限為（）。
A.-7.3V，7.3V
B.-7.3V，8V
C.-8V，7.3V
D.-8V，8V
限幅電路如圖所示，其設(shè)定的幅度上下限為（）。
A.3V，6V
B.3.7V，6.7V
C.-3V，6V
D.-3.7V，6.7V
A.0V
B.半波整流后的波形
C.幅度減小的波形
D.不受影響的波形
A.25Hz
B.50Hz
C.100Hz
D.0Hz
最新試題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有（）。
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào)，輸出信號(hào)為電流信號(hào)，則以下描述正確的有（）。?
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。
CG放大器因其輸入電阻過(guò)小，因此沒(méi)什么用處。
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???