寧夏住院醫(yī)師超聲醫(yī)學(xué)科章節(jié)練習(xí)(2017.02.07)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)參考答案:局間長(zhǎng)距離;1310nm
2.問(wèn)答題如何解決MOS器件的場(chǎng)區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)?
參考答案:在第二次光刻生成有源區(qū)時(shí),進(jìn)行場(chǎng)氧生長(zhǎng)前進(jìn)行場(chǎng)區(qū)離子注入,提高寄生MOSFET的閾值電壓,使其不易開(kāi)啟;增加場(chǎng)氧生長(zhǎng)厚度...
參考答案:STM-4;1310nm