判斷題傳統(tǒng)的0.25μm工藝以上的器件隔離方法是硅的局部氧化。
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最新試題
BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。
題型：多項選擇題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題
什么是MOS器件的體效應？
題型：問答題
設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
MOS器件存在哪些二階效應？
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題
把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項選擇題
20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型：問答題
從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。
題型：多項選擇題