集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.04.19)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題為什么硅片熱氧化結(jié)束時(shí)通常還要進(jìn)行氫氣或氫－氮混合氣體退火？

參考答案：距Si/SiO2界面2nm以內(nèi)的Si的不完全氧化是帶正電的固定氧化物電荷區(qū)；對于器件的正常工作，界面處的電荷堆積是不受歡...

2.判斷題當(dāng)硅片暴露在空氣中時(shí)，會(huì)立刻生成一層無定形的氧化硅薄膜。

3.名詞解釋光刻三要素

光刻機(jī)，光刻板（掩模板），光刻膠。

4.名詞解釋濕氧氧化

氧氣中攜帶一定量的水汽，Si在其中被氧化成SiO₂的過程。

5.判斷題刻蝕的高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。

6.判斷題各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕。

7.問答題解釋為什么目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝？

參考答案：目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝的原因是：
①采用自對準(zhǔn)方式，減小了晶體管的尺寸和柵電極...

8.名詞解釋有限表面源擴(kuò)散

參考答案：擴(kuò)散前在硅片表面先淀積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過程中，這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散源，不再有新源補(bǔ)充，雜質(zhì)總量不再變化。這種類型的擴(kuò)散稱為有...

9.判斷題不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報(bào)廢，給硅片制造公司帶來損失。

10.判斷題最早應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠是正性光刻膠。