集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.04)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：對(duì)晶體進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)離子注入的方向與與晶體的某個(gè)晶向平行時(shí)，一些離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，受到的核阻止作用很小，而且溝道中的...
參考答案：裁板、內(nèi)層前處理、壓膜、曝光、DES連線、CCD沖孔、AOI檢驗(yàn)、VRS確認(rèn)、棕化、鉚釘、疊板、壓合、后處理、上PIN、...
4.名詞解釋平均投影射程Rp
參考答案：

所有入射離子的投影射程的平均值。

5.名詞解釋退火
參考答案：如果將注有離子的硅片在一定溫度下，經(jīng)過適當(dāng)時(shí)間的熱處理，則硅片中的損傷就會(huì)得到大部分消除，少數(shù)載流子的壽命以及遷移率也會(huì)...
參考答案：正性光刻；負(fù)性光刻膠；正性光刻膠
8.名詞解釋保形覆蓋
參考答案：

所有圖形上淀積的薄膜厚度相同；也稱共性覆蓋。

參考答案：通常采用粘接技術(shù)實(shí)現(xiàn)管芯與底座的連接的材料。要求機(jī)械強(qiáng)度、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)電、導(dǎo)熱、熱匹配、低固化溫度、可操作性。
參考答案：被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀；各向同性；各向異性