半導(dǎo)體集成電路問答題每日一練(2020.01.07)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題D/A變換器的設(shè)計(jì)原則應(yīng)從幾個(gè)方面權(quán)衡。

參考答案：應(yīng)從以下四個(gè)方面來權(quán)衡：
A. 精度：如高精度儀表
B. 功耗：如便攜式處理

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2.問答題如何計(jì)算killing ratio?

參考答案：藉由defect map與yield map的迭圖與公式的運(yùn)算，可算出某種缺陷對(duì)良率的殺傷力。

3.問答題一般硅片的制造常以幾P幾M 及光罩層數(shù)(mask layer)來代表硅片工藝的時(shí)間長(zhǎng)短，請(qǐng)問幾P幾M及光罩層數(shù)(mask layer)代表什么意義？

參考答案：幾P幾M代表硅片的制造有幾層的Poly(多晶硅)和幾層的metal(金屬導(dǎo)線).一般0.15um 的邏輯產(chǎn)品為1P6M(...

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4.問答題求解CMOS反相器的邏輯閾值，并說明它與哪些因素有關(guān)？

參考答案：

5.問答題考慮一個(gè)電阻負(fù)載反相器電路：V_DD=5V，K_N`=20uA/V2 ，V_T0=0.8V，R_L=200KΩ，W/L=2。計(jì)算V_TC曲線上的臨界電壓值（V_OL、V_OH、V_IL、V_IH）及電路的噪聲容限，并評(píng)價(jià)該直流反相器的設(shè)計(jì)質(zhì)量。

參考答案：