半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.04.11)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述sram，flash memory及dram的區(qū)別？

參考答案：sram：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，存取速度快，但容量小，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，制造成本較高，通常用來作為快取(CACHE)&ensp...

2.問答題在STI的刻蝕工藝過程中，要注意哪些工藝參數(shù)？

參考答案：①STI etch（刻蝕）的角度；
②STI etch 的深度；
③S...

3.問答題氧化硅的熱動(dòng)力學(xué)生長過程中包括哪幾個(gè)主要過程？并說明每一種過程中的什么因素對氧化生長速率有影響？其中決定因素是什么？

參考答案：熱氧化過程中，氧化層的增厚包括三個(gè)過程：氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式輸運(yùn)到氣體—氧化層界面：氧化劑穿過滯流層到...

4.問答題制造半導(dǎo)體器件的核心是什么？并說明半導(dǎo)體器件工藝的基本原理。

參考答案：制造器件的核心則是形成PN結(jié)；半導(dǎo)體工藝的基本原理：“摻雜”和“補(bǔ)償”。...

5.問答題Defect的種類依掉落位置區(qū)分可分為哪些？

參考答案：① Random defect ： defect分布很散亂
②&ens...

6.問答題簡述SCT的工作特點(diǎn)？

7.問答題集成時(shí)代以什么來劃分？列出每個(gè)時(shí)代的時(shí)間段及大致的集成規(guī)模。

8.問答題化合物半導(dǎo)體的主要類型，各自的典型材料及主要應(yīng)用領(lǐng)域。

參考答案：III-V族化合物：砷化鎵（GaAs）鍺硅（SiGe），主要用于高速高頻領(lǐng)域；
II-VI族化合物：碲化鎘（C...

9.問答題試說明標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極晶體管的集電極是如何引出的及其作用。

參考答案：形成歐姆接觸電極，但在外延層淀積引出處進(jìn)行高濃度的重?fù)诫s，且穿透外延層和埋層相連，即使集電極歐姆接觸為深摻雜的n型接觸。...

10.問答題什么是Rc? Rc代表什么意義？

參考答案：接觸窗電阻，具體指金屬和半導(dǎo)體（contact）或金屬和金屬(via)，在相接觸時(shí)在節(jié)處所形成的電阻，一般要求此電阻越小...