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半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.06.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題CMOS工藝中為什么要形成側(cè)墻？在哪一個工藝環(huán)節(jié)形成及為什么？并說明其形成步驟及主要作用。

參考答案：步驟：
1）淀積二氧化硅
2）二氧化硅反刻
作用：用來環(huán)繞多晶硅柵，作為n+和p+源漏注入...

2.問答題按電路功能或信號類型分，半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類？

參考答案：數(shù)字集成電路，模擬集成電路，數(shù)?；旌霞呻娐贰?/span>

3.問答題試比較幾種常用的DAC的優(yōu)缺點。

參考答案：（1）電壓定標型
優(yōu)點：通常具有良好的精度。
缺點：對于位數(shù)多的DAC，要求...

4.問答題一般硅片的制造（wafer process）過程包含哪些主要部分？

參考答案：①前段（frontend）-元器件（device）的制造過程。
②后段（backend）-金屬導(dǎo)線的連接及護層...

5.問答題MOS器件的主要特性是什幺？

參考答案：它主要是通過柵極電壓（Vg）來控制源，漏極(S/D)之間電流，實現(xiàn)其開關(guān)特性。

6.問答題試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

B：P型雜質(zhì)，OED；
P：N型雜質(zhì)，深結(jié)，OED；
AS：N型雜質(zhì)，離子注入精確控制結(jié)深。

7.填空題集成電路的內(nèi)連線有：（）

參考答案：鋁連線、擴散區(qū)連線、多晶硅連線、銅連線、交叉連線

8.問答題什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說明它們對氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。

參考答案：網(wǎng)絡(luò)形成者：是網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)發(fā)生變化；結(jié)構(gòu)上，改變氧化層中有氧橋和無氧橋的比例；性質(zhì)上，改變其密度硬度流動性熔點及擴散...

9.問答題求V_M=1.4V 時的W_N/W_P。

10.問答題簡述集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)在其各工作區(qū)能否忽略？

參考答案：PNP管為四層三結(jié)晶體管的寄生晶體管，當NPN晶體管工作在正向工作區(qū)時，即NPN的發(fā)射極正偏，集電極反偏，那么寄生晶體管...