問(wèn)答題D/A變換器的設(shè)計(jì)原則應(yīng)從幾個(gè)方面權(quán)衡。
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2.問(wèn)答題試比較幾種常用的DAC的優(yōu)缺點(diǎn)。
3.問(wèn)答題給出DAC的主要技術(shù)指標(biāo)及含義。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)單給出D/A變換器的基本原理
最新試題
在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型：名詞解釋
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
舉例說(shuō)明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？
題型：?jiǎn)柎痤}