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半導體集成電路問答題每日一練(2020.04.03)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題試說明什么是雙極晶體管的埋層以及埋層的作用。

參考答案：埋層：第一次光刻；
在P型襯底上注入As進行N型擴散，之后在晶圓表面淀積一層N型外延層，則把N型擴散區(qū)域&ld...

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2.問答題組成氧化硅的基本單元是什么？他有哪兩種主要結構？

參考答案：基本單元：一個硅原子被四個氧原子包圍著的Si—O四面體。
在SiO₂的四面體...

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3.問答題氧化工藝產(chǎn)生的SiO₂為何種類型？并說明其結構對其強度和密度的影響。

參考答案：半導體工藝中用熱氧化法生長的SiO₂是典型的無定形SiO₂。無定形SiO

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4.問答題對1T DRAM，假設位線電容為1pF，位線預充電電壓為1.25V。在存儲數(shù)據(jù)為1和0時單元電容Cs（50fF）上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。

參考答案：

5.問答題何謂 Gate oxide （柵極氧化層）？

參考答案：用來當器件的介電層，利用不同厚度的 gate oxide ,可調節(jié)柵極電壓對不同器件進行開...

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