多項(xiàng)選擇題關(guān)于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。

A.Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式
B.ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能，用來校準(zhǔn)ODT（OnDieTermination）內(nèi)部終端電阻
C.PASR信號是局部Bank刷新的功能，針對整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達(dá)到省電功效
D.在DDR3系統(tǒng)中，Vref分可為兩個(gè)信號即VREFCA和VREFDQ，有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級


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1.單項(xiàng)選擇題DDR2的ODT允許配置的阻值的四種模式是（）。

A.150Ω、120Ω、50Ω、0Ω
B.150Ω、100Ω、50Ω、0Ω
C.150Ω、75Ω、50Ω、10Ω
D.150Ω、75Ω、50Ω、關(guān)閉

2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于DDR2的布局布線要求，下列說法正確的是（）。

A.VTT島盡可能放置在最后一個(gè)DDR2存儲(chǔ)器附近
B.Vref走線寬度>25mil，原則上每個(gè)Vref管腳都要一個(gè)去耦電容
C.每對DQS線（即DQS+與DQS-）之間線長的誤差范圍為10mil
D.BA、ADR、ODT、CKE、CS、CAS、RAS、WE與CLK之間走線長度誤差控制在50mil以內(nèi)

3.多項(xiàng)選擇題DDR2的控制總線包括哪些？（）

A.Add、BA
B.CK、CKE
C.RAS、CAS
D.CS、WE

4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于DDR2的供電電源，下列說法正確的是（）。

A.DDR2的IO供電電源是1.8V
B.每個(gè)IO電源管腳配備退耦電容
C.DDR2的VTT電源電壓是1.8V
D.VTT電源的端接電阻端可以不需要配備退耦電容