填空題直拉法單晶生長過程包括（）、（）、（）、（）、（）等步驟。
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BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型：多項選擇題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？
題型：問答題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：單項選擇題
20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題