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填空題在SiO₂內(nèi)和Si-SiO₂界面存在有（）、（）、（）、（）等電荷。

1.填空題硅平面工藝中高溫氧化生成的非本征無定性二氧化硅對（）、（）、砷（As）、銻（Sb）等元素具有（）作用。

2.填空題熱氧化制備SiO₂的方法可分為四種，包括（）、（）、（）、（）。

3.填空題常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。

4.填空題提拉出合格的單晶硅棒后，還要經(jīng)過（）、（）、（）等工序過程方可制備出符合集成電路制造要求的硅襯底片。

5.填空題直拉法單晶生長過程包括（）、（）、（）、（）、（）等步驟。