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填空題常規(guī)平面工藝擴(kuò)散工序中的恒定表面源擴(kuò)散過程中，雜質(zhì)在體內(nèi)滿足（）函數(shù)分布。常規(guī)平面工藝擴(kuò)散工序中的有限表面源擴(kuò)散過程中，雜質(zhì)在體內(nèi)滿足（）函數(shù)分布。

1.填空題制備SiO₂的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

2.填空題在SiO₂內(nèi)和Si-SiO₂界面存在有（）、（）、（）、（）等電荷。

3.填空題硅平面工藝中高溫氧化生成的非本征無定性二氧化硅對（）、（）、砷（As）、銻（Sb）等元素具有（）作用。

4.填空題熱氧化制備SiO₂的方法可分為四種，包括（）、（）、（）、（）。

5.填空題常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。