填空題硅氣相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。
您可能感興趣的試卷
最新試題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題
集成電容主要有幾種結構？
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項選擇題
從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題
版圖設計的基本前提是什么？
題型：問答題
從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。
題型：多項選擇題