亚洲a∨无码无在线观看,狠狠躁夜夜躁人人爽天

判斷題LPCVD系統(tǒng)中淀積速率是受表面反應控制的，APCVD系統(tǒng)中淀積速率受質量輸運控制。

1.判斷題實現(xiàn)對CVD淀積多晶硅摻雜主要有三種工藝：擴散、離子注入、原位摻雜。由于原位摻雜比較簡單，所以被廣泛采用。

2.判斷題CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側壁溫度與沉底溫度相等。

3.判斷題常用的濺射鍍膜方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射，其中磁控濺射的氣壓最低、靶電流密度最高。

4.判斷題蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對坩堝進行間接加熱。

5.判斷題蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中直接加熱源的加熱體和待蒸發(fā)材料的載體為同一物體；而間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中進行間接加熱。