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判斷題蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對坩堝進行間接加熱。

1.判斷題蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中直接加熱源的加熱體和待蒸發(fā)材料的載體為同一物體；而間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中進行間接加熱。

2.判斷題離子注入工藝中入射離子能量低于臨界能量時核阻止本領(lǐng)占主導，高于臨界能量時電子阻止本領(lǐng)占主導。

3.判斷題有限表面源擴散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù)，兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。

4.判斷題離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

5.判斷題熱擴散摻雜的工藝可以一步實現(xiàn)。