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問答題 計算含有施主雜質(zhì)濃度為N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主雜質(zhì)濃度為1.1×10¹⁶cm³，的硅在33K時的電子和空穴濃度以及費米能級的位置。

1.問答題 計算能量在E=E_c到E=E_c+之間單位體積中的量子態(tài)數(shù)。

2.問答題 磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)ε_r=11.1，空穴的有效質(zhì)量m_p^*=0.86m₀，m₀為電子的慣性質(zhì)量，求
①受主雜質(zhì)電離能；
②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

3.問答題 銻化銦的禁帶寬度Eg=0.18eV，相對介電常數(shù)ε_r=17，電子的有效質(zhì)量m_n^*=0.015m₀， m₀為電子的慣性質(zhì)量，求
①施主雜質(zhì)的電離能
②施主的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑。

4.問答題舉例說明雜質(zhì)補償作用。

5.問答題以Ga摻入Ge中為例，說明什么是受主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)電離過程和p型半導(dǎo)體。