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問(wèn)答題 室溫下，n型硅樣品中，摻雜濃度N_D=10¹⁶cm^-3。光均勻照射Si樣品上，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為1.25×10²⁰cm^-3s^-1，樣品壽命為8μs。計(jì)算無(wú)光照和有光照的電導(dǎo)率。其中，已知q=1.6×10^-19C

參考答案：

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1.問(wèn)答題對(duì)于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計(jì)算問(wèn)題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。

參考答案：

2.問(wèn)答題對(duì)于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。畫(huà)出問(wèn)題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的能帶圖，并確定費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于E_C的位置

參考答案：

3.問(wèn)答題對(duì)于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。當(dāng)在本征硅中摻入百萬(wàn)分之一的砷（As）后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計(jì)算電子濃度和空穴濃度。

參考答案：

4.問(wèn)答題對(duì)于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計(jì)算本征硅的電阻率。

參考答案：

5.判斷題金屬和半導(dǎo)體接觸分為有整流特性的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸。

參考答案：正確