問(wèn)答題室溫下,施主濃度為1.0×1016cm-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸,Al的功函數(shù)為4.30eV,Si的電子親和能為4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。試畫(huà)出理想情況下金屬-半導(dǎo)體接觸的能帶圖,并標(biāo)明半導(dǎo)體表面勢(shì)VS的數(shù)值。
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NPN型三極管三只管腳的電位關(guān)系為VE<VC<VB,則三極管工作在()區(qū)。
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三極管工作時(shí),有()種載流子參與導(dǎo)電。
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常溫下測(cè)得一處于放大狀態(tài)的三極管各極電位分別為8V、3.3V、3V,則該管為()
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鍺三極管的飽和壓降為()。
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β是()的比值。
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硅三極管的飽和壓降為()。
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處于飽和狀態(tài)的晶體管可通過(guò)()鑒別。
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對(duì)于NPN型三極管,當(dāng)VBE=0時(shí),VBE<VCE,則該管的工作狀態(tài)是()
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NPN型晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí),基極應(yīng)當(dāng)()
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