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填空題不同（）的硅片，它的化學(xué)、電學(xué)、和機(jī)械性質(zhì)都（），這會影響最終的（）。例如（），界面態(tài)等。

1.問答題簡述區(qū)熔法（FZ法）的特點(diǎn)與優(yōu)缺點(diǎn)。

區(qū)熔法（FZ法）的特點(diǎn)使用摻雜好的多晶硅棒；
優(yōu)點(diǎn)是純度高、含氧量低；
缺點(diǎn)是硅片直徑比直拉的小。

2.問答題簡述集成電路制造步驟。

3.判斷題PN結(jié)隔離所依據(jù)的基本原理是利用PN結(jié)正向偏置時(shí)的高阻性。

4.判斷題集成電路制造工藝中隔離擴(kuò)散的深度可以不超過外延層的厚度。

5.判斷題滿足雙極晶體管的正常工作，需要晶體管的基區(qū)非常薄，小于少子的擴(kuò)散長度才可，這樣使擴(kuò)散遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于復(fù)合。