問(wèn)答題簡(jiǎn)述常壓CVD系統(tǒng)（APCVD）的優(yōu)缺點(diǎn)。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述什么是異類反應(yīng)和同類反應(yīng)？
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述集成電路對(duì)薄膜的要求。
4.名詞解釋化學(xué)氣相沉積（CVD）
5.問(wèn)答題為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？
最新試題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：?jiǎn)柎痤}