問(wèn)答題解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
2.問(wèn)答題例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
4.問(wèn)答題例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
5.問(wèn)答題什么是結(jié)深？
最新試題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題