填空題鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間引力范圍的間距。
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厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？
題型：?jiǎn)柎痤}
雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。
題型：填空題
濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。
題型：填空題
典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？
題型：?jiǎn)柎痤}