單項(xiàng)選擇題非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm
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1.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。
A.熱阻
B.阻抗
C.結(jié)構(gòu)參數(shù)
2.單項(xiàng)選擇題雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。
A.基區(qū)寬度
B.外延層厚度
C.表面界面狀態(tài)
3.單項(xiàng)選擇題變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。
A.正偏電流
B.反偏電壓
C.結(jié)溫
4.單項(xiàng)選擇題禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
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簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？
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在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2％（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98％（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20％的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。
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禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。
題型：單項(xiàng)選擇題
變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。
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