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填空題熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

1.填空題最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）。

2.填空題半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（）（）（）隔離等三種基本方法.

3.填空題二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

4.填空題離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是（）和（）。

5.填空題外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。