問答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?

您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

3.單項(xiàng)選擇題器件的橫向尺寸控制幾乎全由()來實(shí)現(xiàn)。

A.掩膜版
B.擴(kuò)散
C.光刻

4.單項(xiàng)選擇題反應(yīng)離子腐蝕是()。

A.化學(xué)刻蝕機(jī)理
B.物理刻蝕機(jī)理
C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合