A.能量
B.劑量
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路
A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度
D.尾氣的處理
A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻?br />
B.位錯(cuò)就是由重力造成的
C.位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?br />
D.以上答案都不對(duì)
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
最新試題
光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。（）
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）
集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？
目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）