填空題在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫（）。
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1.填空題對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。
3.單項(xiàng)選擇題人們規(guī)定：（）電壓為安全電壓.
A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
4.單項(xiàng)選擇題單相3線(xiàn)插座接線(xiàn)有嚴(yán)格規(guī)定（）
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
5.多項(xiàng)選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
最新試題
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。（）
題型：判斷題
絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。（）
題型：判斷題
雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）
題型：判斷題
遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）
題型：判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。
題型：?jiǎn)柎痤}
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）
題型：判斷題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。（）
題型：判斷題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）
題型：判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）
題型：判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
題型：判斷題