最新試題
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。()
題型:判斷題
場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。()
題型:判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理,寫出化學(xué)方程式。
題型:問答題
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護膜,使器件的表面與周圍氣氛隔離。()
題型:判斷題
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。()
題型:判斷題
片狀源擴散具有設(shè)備簡單,操作方便,晶片缺陷少,均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好,適于批量生產(chǎn),應(yīng)用越來越普遍。()
題型:判斷題
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50%。()
題型:判斷題
厚膜漿料屬于牛頓流體,因此其粘度屬于正常黏度。()
題型:判斷題
光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì),這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑,由此組成的光刻膠稱為負性膠。()
題型:判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。()
題型:判斷題