A、27mm
B、21mm
C、38mm
D、以上都不對(duì)
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A、5.6°
B、3.5°
C、6.8°
D、24.6°
A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
A.頻率增加,晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加,晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長(zhǎng)1/10時(shí)對(duì)探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對(duì)探傷的影響
A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
最新試題
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí),下面敘述中()是錯(cuò)誤的。
超聲波儀時(shí)基線的水平刻度與實(shí)際聲程成正比的程度,即()。
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長(zhǎng)工件上時(shí),在底波之后出現(xiàn)一系列的波,這種波是()。
()是影響缺陷定量的因素。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時(shí),適用的工件厚度為()。
當(dāng)超聲波到達(dá)工件的臺(tái)階、螺紋等輪廓時(shí)將引起反射,這種波是()。
超聲檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度余量()。
用橫波斜探頭檢測(cè),找到缺陷最大回波后,探頭所在截面及()可以確定缺陷位置。
單探頭法容易檢出()。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。