最新試題
與多數(shù)載流子相比,少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型:判斷題
若在直流電路中硅二極管導通,則其導通電壓均可認為0.7V。
題型:判斷題
在PN 結形成過程中,空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型:判斷題
試說明硅工藝中常用摻雜雜質B,P,As的擴散特性。
題型:問答題
說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因?
題型:問答題
薄層電阻
題型:名詞解釋
試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟,并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
題型:問答題
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大,因此不能使用。
題型:判斷題
OED/ORD
題型:名詞解釋
根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式,給出本征硅,低濃度摻雜,N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。
題型:問答題