多項選擇題對正性光刻膠特性表述正確的是（）。

A.分辨率高
B.顯影時曝光部分不溶解，未曝光部分溶解
C.分辨率低
D.顯影時曝光部分溶解，未曝光部分不溶解


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1.多項選擇題?提高光刻分辨率的途徑有（）。

A.增大數(shù)值孔徑NA
B.增大曝光波長
C.減小曝光波長
D.減小數(shù)值孔徑NA

2.多項選擇題?光刻工藝流程中后烘的作用是（）。

A.消除駐波效應(yīng)
B.蒸發(fā)PR中所有有機(jī)溶劑
C.提高光刻膠和表面的黏附性
D.平滑光刻膠側(cè)壁

3.多項選擇題光刻是集成電路制造最重要的工藝，是因為（）。

A.光刻耗費時間最多
B.光刻耗費時間最少
C.光刻決定了特征尺寸
D.光刻成本最高

4.單項選擇題現(xiàn)代光刻工藝有10個步驟，其中4個是熱處理步驟，下列哪個熱處理順序是正確的？（）

A.前烘、后烘、打底膜、堅膜
B.打底膜、前烘、后烘、堅膜
C.預(yù)烘、堅膜、前烘、后烘
D.打底膜、堅膜、前烘、后烘

5.多項選擇題?Si3N4薄膜的特性有（）。

A.針孔少
B.對底層金屬可保形覆蓋
C.介電常數(shù)較大
D.擴(kuò)散掩蔽能力強(qiáng)