單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定長(zhǎng)度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)尺寸。當(dāng)被測(cè)處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測(cè)量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測(cè)量的量具應(yīng)為（）。
A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
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如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題