A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
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A、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列是晶體的是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。