單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標(biāo)準(zhǔn)中,每粉煤灰磚每()塊為一批,不足該數(shù)量亦按一批計(jì)。
A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
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1.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標(biāo)準(zhǔn)中粉煤灰磚各項(xiàng)技術(shù)要求的指標(biāo)的試驗(yàn)按()的規(guī)定進(jìn)行。
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對
2.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定粉煤灰磚色差的試驗(yàn)方法為:?。ǎK粉煤灰磚,平放在地上,在自然光照下,距離樣品1.5m處目測,無明顯色差。
A、30
B、36
C、40
D、50
3.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定優(yōu)等品磚的強(qiáng)度等級應(yīng)不低于()
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
4.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定集料應(yīng)符合相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,放射性性質(zhì)應(yīng)符合()的規(guī)定。
A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
5.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的粉煤灰磚不得用于長期受熱()℃以上、受急冷急熱和有酸性介質(zhì)的建筑部位的建筑部位。
A、100
B、200
C、250
D、300
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與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題