A、提筒后,測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測(cè)量筒高與坍落后試體最低點(diǎn)之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)和最低點(diǎn)之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應(yīng)在150s后測(cè)量坍落度值
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.試驗(yàn)前應(yīng)潤(rùn)濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動(dòng)棒振搗密實(shí)
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動(dòng)擴(kuò)展
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
A、插搗不均勻
B、提筒時(shí)歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實(shí)因素法
A、流動(dòng)性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
下列是晶體的是()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()